تسمح التكنولوجيا الجديدة بتكديس 12 شريحة ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية باستخدام أكثر من 60,000 ثقب من طرق الموصلات السيليكونية، مع الإبقاء على سماكة الشرائح الحالية المؤلفة من 8 طبقات
القلعة نيوز - عمّان، الأردن – 13 تشرين الأول2019– أعلنت شركة سامسونج إلكترونيكسوهي الشركة الرائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا أشباه الموصلات المتقدمة،عن تطويرها لأول تكنولوجيا لطرق الموصلات السيليكونية الثلاثية الأبعاد بـ12 طبقة.
يعتبر ابتكار سامسونج الجديد أحد أكثر تقنيات التغليف تحدياً لإنتاج شرائح عالية الأداء بكميات ضخمة، بما أنّه يتطلّب دقة تامة للربط عمودياً ما بين 12 شريحة ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية عبر تشكيل ثلاثي الأبعاد لأكثر من 60,000 ثقب من طرق الموصلات السيليكونية، تبلغ سماكة الثقب الواحد جزء من العشرين من سماكة خصلة شعرة بشرية واحدة.
تبقى سماكة التغليف (720 ميكرومتراً) هي نفسها كما في المنتجات الحالية المؤلفة من 8 طبقات من ذاكرة عرض النطاق الترددي المرتفع-2(HBM2)،ما يعتبر تقدماً جوهرياً في تصميم المكوّنات. وسيساعد هذا الأمر العملاء على إطلاق منتجات الجيل التالي عالية السعة مع قدرة أداء أعلى، بدون الاضطرار إلى تغيير تصاميم تشكيل أنظمة المنتجات.
هذا وتتميّز تكنولوجيا التغليف الثلاثي الأبعاد بوقت نقل بيانات أقصر ما بين الشرائح مقارنةً بتكنولوجيا ربط الأسلاك القائمة حالياً، ما يفضي إلى سرعة أكبر بشكل ملحوظ واستهلاك أقل بكثير للكهرباء.
وقد صرّح نائب الرئيس التنفيذي لقسم حزمة التجارب والنظم (TSP) في شركة سامسونج إلكترونيكس، هونغ جو بايك، قائلاً: إنّ تكنولوجيا التغليف التي تضمناستيعاب كافة تشابكات ذاكرة الأداء المتفوّق تزداد أهمية على نحو هائل، مع التنوع الكبير لتطبيقات العصر الجديد، والتي نذكر منها الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء.
وتابع قائلاً: مع بلوغ قانون مور(Moore)حدوده في قابلية التوسع، من المتوقع أن يبلغ دور تكنولوجيا طرق الموصلات السيليكونية الثلاثية الأبعاد أهمية بالغة. ونحن نريد تصدّر تكنولوجيا تغليف الشرائح الفائقة الحداثة.
ستقدّم سامسونج أعلى أداء ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية لديها لتطبيقات كثيفة البيانات وفائقة السرعة، بالاعتماد على تكنولوجيا طرق الموصلات السيليكونية الثلاثية الأبعاد بـ12 طبقة التي ابتكرتها.
كما أنّها برفع عدد الطبقات المكدّسة من 8 إلى 12 طبقة، ستتمكّن سامسونج قريباً من إنتاج ذاكرة عرض النطاق الترددي المرتفع بسعة 24 جيجابايت، تقدّم 3 أضعاف سعة ذاكرة عرض النطاق الترددي المترفع من 8 جيجابايت المتوفرة حالياً في الأسواق.
وستتمكّن سامسونج من تلبية طلب السوق السريعة النمو لحلول ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي بفضل تكنولوجيا طرق الموصلات السيليكونية الثلاثية الأبعاد بـ12 طبقة الفائقة الحداثة التي ابتكرتها، وتأمل ترسيخ ريادتها في سوق أشباه الموصلات المتميزة.
###
* منتج من 8 جيجابايت ناجم عن الإنتاج بالجملة = 8 جيجابتx8 طبقات؛ 24 جيجابايت من المنتج المطوّر = 16 جيجابتx12 طبقة
