القلعة نيوز - ممكن تصنيف الذاكرة في الحاسوب إلى نوعين رئيسيين وهما:
ذاكرة الوصول العشوائي (Random Access Memory - RAM):
تُعرف ذاكرة الوصول العشوائي بأنها ذاكرة عالية السرعة تستخدم لتخزين المعلومات التي يحتاجها الحاسوب للعمل عليها مؤقتًا. تعتبر ذاكرة قصيرة المدى وتستخدم لتخزين المعلومات التي يتم الوصول إليها حاليًا عبر الحاسوب. تُعرف هذه الذاكرة أيضًا بالذاكرة الرئيسية في الحاسوب. توفر ذاكرة الوصول العشوائي وصولًا سريعًا للبيانات وتستخدم لتخزين البيانات التي يتم استخدامها بشكل متكرر في الحاسوب.
تنقسم ذاكرة الوصول العشوائي إلى نوعين رئيسيين:
ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة (Static Random Access Memory - SRAM): تُحتفظ بهذا النوع من الذاكرة بمحتوياتها طالما يتم تزويدها بالطاقة الكهربائية. ومع ذلك، فإنه يتم فقد المعلومات المخزنة فيها عند فصل التيار الكهربائي عن الحاسوب.
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (Dynamic Random Access Memory - DRAM): تتطلب هذه الذاكرة تحديثًا مستمرًا للبيانات المخزنة فيها، وتتم عملية تحديث البيانات بشكل متكرر خلال الثانية الواحدة. تُستخدم ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية على نطاق واسع في الأجهزة الحديثة.
ذاكرة القراءة فقط (Read-Only Memory - ROM):
تُعرف ذاكرة القراءة فقط بأنها جهاز تخزين يتم تخزين البيانات فيه بشكل دائم حتى عند فصل التيار الكهربائي عنها. ولا يمكن كتابة بيانات جديدة عليها، ويمكن فقط قراءة المحتويات المخزنة فيها.
تنقسم ذاكرة القراءة فقط إلى عدة أنواع:
ذاكرة القراءة فقط المقنعة (Masked Read-Only Memory - MROM): يتم تخزين المعلومات عليها أثناء عملية التصنيع ولا يمكن إعادة برمجتها.
ذاكرة القراءة فقط القابلة للبرمجة (Programmable Read-Only Memory - PROM): يتم برمجتها بعد عملية التصنيع لمرة واحدة فقط من قبل المستخدم.
ذاكرة القراءة فقط القابلة للمسح والبرمجة (Erasable and Programmable Read-Only Memory - EPROM): يمكن إعادة برمجتها ومسح المحتوى المخزن عليها باستخدام الأشعة فوق البنفسجية.
ذاكرة القراءة فقط القابلة للبرمجة والمسح الكهربائي (Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory - EEPROM): يمكن إعادة برمجتها ومسح المحتوى المخزن عليها كهربائيًا دون استخدام الأشعة فوق البنفسجية.
ذاكرة القراءة الومضية (FLASH ROM): تعتبر نسخة مطورة من ذاكرة EEPROM وتتميز بإمكانية كتابة وحذف كميات كبيرة من البيانات في المرة الواحدة.
تختلف الذاكرة العشوائية وذاكرة القراءة فقط في عدة جوانب مثل استخدامها وسعة التخزين وسرعة الكتابة وغيرها. يتم استخدام ذاكرة الوصول العشوائي في أغراض عديدة في الحاسوب، بينما تستخدم ذاكرة القراءة فقط بشكل أساسي في بدء تشغيل الحاسوب وتخزين المعلومات الأساسية التي يحتاجها النظام للبدء بتشغيله.
ذاكرة الوصول العشوائي (Random Access Memory - RAM):
تُعرف ذاكرة الوصول العشوائي بأنها ذاكرة عالية السرعة تستخدم لتخزين المعلومات التي يحتاجها الحاسوب للعمل عليها مؤقتًا. تعتبر ذاكرة قصيرة المدى وتستخدم لتخزين المعلومات التي يتم الوصول إليها حاليًا عبر الحاسوب. تُعرف هذه الذاكرة أيضًا بالذاكرة الرئيسية في الحاسوب. توفر ذاكرة الوصول العشوائي وصولًا سريعًا للبيانات وتستخدم لتخزين البيانات التي يتم استخدامها بشكل متكرر في الحاسوب.
تنقسم ذاكرة الوصول العشوائي إلى نوعين رئيسيين:
ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة (Static Random Access Memory - SRAM): تُحتفظ بهذا النوع من الذاكرة بمحتوياتها طالما يتم تزويدها بالطاقة الكهربائية. ومع ذلك، فإنه يتم فقد المعلومات المخزنة فيها عند فصل التيار الكهربائي عن الحاسوب.
ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (Dynamic Random Access Memory - DRAM): تتطلب هذه الذاكرة تحديثًا مستمرًا للبيانات المخزنة فيها، وتتم عملية تحديث البيانات بشكل متكرر خلال الثانية الواحدة. تُستخدم ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية على نطاق واسع في الأجهزة الحديثة.
ذاكرة القراءة فقط (Read-Only Memory - ROM):
تُعرف ذاكرة القراءة فقط بأنها جهاز تخزين يتم تخزين البيانات فيه بشكل دائم حتى عند فصل التيار الكهربائي عنها. ولا يمكن كتابة بيانات جديدة عليها، ويمكن فقط قراءة المحتويات المخزنة فيها.
تنقسم ذاكرة القراءة فقط إلى عدة أنواع:
ذاكرة القراءة فقط المقنعة (Masked Read-Only Memory - MROM): يتم تخزين المعلومات عليها أثناء عملية التصنيع ولا يمكن إعادة برمجتها.
ذاكرة القراءة فقط القابلة للبرمجة (Programmable Read-Only Memory - PROM): يتم برمجتها بعد عملية التصنيع لمرة واحدة فقط من قبل المستخدم.
ذاكرة القراءة فقط القابلة للمسح والبرمجة (Erasable and Programmable Read-Only Memory - EPROM): يمكن إعادة برمجتها ومسح المحتوى المخزن عليها باستخدام الأشعة فوق البنفسجية.
ذاكرة القراءة فقط القابلة للبرمجة والمسح الكهربائي (Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory - EEPROM): يمكن إعادة برمجتها ومسح المحتوى المخزن عليها كهربائيًا دون استخدام الأشعة فوق البنفسجية.
ذاكرة القراءة الومضية (FLASH ROM): تعتبر نسخة مطورة من ذاكرة EEPROM وتتميز بإمكانية كتابة وحذف كميات كبيرة من البيانات في المرة الواحدة.
تختلف الذاكرة العشوائية وذاكرة القراءة فقط في عدة جوانب مثل استخدامها وسعة التخزين وسرعة الكتابة وغيرها. يتم استخدام ذاكرة الوصول العشوائي في أغراض عديدة في الحاسوب، بينما تستخدم ذاكرة القراءة فقط بشكل أساسي في بدء تشغيل الحاسوب وتخزين المعلومات الأساسية التي يحتاجها النظام للبدء بتشغيله.